GB/T 29504-2013
300mmシリコン単結晶 (英語版)

規格番号

GB/T 29504-2013

言語

中国語版, 英語で利用可能

制定年

2013

出版団体

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China

最新版

GB/T 29504-2013

範囲

この規格は、技術的要件、試験方法、検査規則、マーキング、梱包、輸送、保管などを規定した規格です。 この規格はチョクラルスキー法で製造されたシリコン単結晶に適用され、主に300mmのシリコン単結晶研磨ウェーハの製造に使用されます。 線幅0.13μm以下の集積回路ICの技術要件を満たしています。

GB/T 29504-2013 規範的参照

• GB/T 11073-2007 シリコンウェーハの面内抵抗率変化の測定方法
• GB/T 14140 シリコンウェーハの直径測定方法
• GB/T 14264 半導体材料用語
• GB/T 1550 外部半導体材料の導電型の試験方法*， 2018-12-28 更新するには
• GB/T 1551-2009 シリコン単結晶の抵抗率測定方法
• GB/T 1554 シリコン結晶の完全性を評価する化学優先腐食試験方法
• GB/T 1555 半導体単結晶の結晶方位判定方法*， 2023-08-06 更新するには
• GB/T 1557 シリコン結晶中の格子間酸素量の赤外吸収測定法*， 2018-09-17 更新するには
• GB/T 1558 シリコン中の置換炭素量の赤外線吸収試験方法*， 2023-12-28 更新するには
• YS/T 679 外部半導体における少数キャリア拡散長を測定するための表面光起電力法*， 2018-10-22 更新するには

GB/T 29504-2013 発売履歴

• 2013 GB/T 29504-2013 300mmシリコン単結晶