GB/T 1551-2009
シリコン単結晶の抵抗率測定方法 (英語版)
- 規格番号
- GB/T 1551-2009
- 言語
- 中国語版, 英語で利用可能
- 制定年
- 2009
- 出版団体
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- 状態
- 2021-12
- に置き換えられる
- GB/T 1551-2021
- 最新版
- GB/T 1551-2021
- 交換する
- GB/T 1551-1995 GB/T 1552-1995
- 範囲
- この方法は、インライン四探針法によりシリコン単結晶の比抵抗を測定する方法を規定したものである。 この方法は、シリコン単結晶抵抗率のプローブ間隔の 4 倍以上であり、測定直径が大きい、サンプルの厚さとサンプルの端から任意のプローブ終点までの最短距離の測定に適しています。 プローブ間隔の 10 倍未満、厚さの単一ウェーハの抵抗率はプローブピッチの 4 倍未満。 この方法で求められるシリコン単結晶の比抵抗範囲は、1×10Ω・cm～3×10Ω・cmです。
GB/T 1551-2009 発売履歴
- 2021 GB/T 1551-2021 直流四探針法および直流二探針法によるシリコン単結晶の比抵抗測定
- 2009 GB/T 1551-2009 シリコン単結晶の抵抗率測定方法
- 1995 GB/T 1551-1995 シリコンおよびゲルマニウム単結晶の抵抗率を測定するための DC 2 プローブ法
GB/T 1551-2009 シリコン単結晶の抵抗率測定方法 は GB/T 1552-1995 インライン四探針法によるシリコンおよびゲルマニウム単結晶の抵抗率測定 から変更されます。
