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- ASTM F673-02
- 規格番号
- ASTM F673-02
- 制定年
- 1970
- 出版団体
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- 最新版
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ASTM F673-02
- 範囲
- 1.1 これらの試験方法は、シリコンおよび特定のガリウムヒ素スライスのバルク抵抗率の非破壊測定、および非接触渦を使用したスライス中心点での限られた範囲の基板上に製造されたシリコンまたはガリウムヒ素の薄膜のシート抵抗の非破壊測定をカバーします。
現在のゲージ。
1.1.1 測定は 18 ～ 28°C の室温で行われます。
1.2 これらの試験方法は現在、単結晶および多結晶シリコン、および本質的に導電性のガリウム砒素のバルク試験片、または比較的高い抵抗率の基板上に製造されたシリコンまたはガリウム砒素の薄膜に限定されていますが、原理的には他の半導体材料をカバーするように拡張することができます。
1.2.1 バルクシリコンまたはガリウム砒素試料は、単結晶または多結晶で、拡散や他の導電層のないスライス (円形またはその他の形状) の形で導電型 (p または n) のいずれかである場合があります。
その上に製造され、亀裂、空隙、または他の構造的不連続性がなく、(1) スライスの中心点を通して測定した端から端までの寸法が 25 mm (1.00 インチ) 以上である。
(2) 厚さは 0.1 ～ 1.0 mm (0.004 ～ 0.030 インチ) の範囲内、(3) 抵抗率は 0.001 ～ 200 Vcm の範囲内。
厚さと抵抗率のすべての組み合わせが測定できるわけではありません。
機器は基本的に、1.2.2 に示されているような固定シート抵抗範囲に制限されます。
9.3も参照してください。
1.2.2 シリコンまたはガリウム砒素の薄膜は、拡散、エピタキシャル、またはイオン注入プロセスによって製造できます。
層のシート抵抗は、平方あたり 2 ～ 3000 V の公称範囲内である必要があります。
薄膜が作製される基板は、中心点を通って測定した最小端から端までの寸法が 25 mm であり、薄膜の実効シート抵抗が少なくとも 1000 3 である必要があります。
バルク基板の有効シート抵抗は、バルク抵抗率 (V・cm) をその厚さ (cm) で割ったものです。
1.2.3 測定は試験片の表面仕上げには影響されません。
1.3 これらの試験方法では、装置を校正するための抵抗率標準の使用 (7.1 を参照)、および装置の適格性を評価するための一連の基準試料の使用 (7.1.2 を参照) が必要です。
1.4 SI 単位で記載されている値は標準とみなします。
括弧内の値は情報提供のみを目的としています。
1 この試験方法は、エレクトロニクスに関する ASTM 委員会 F01 の管轄下にあり、シリコン材料およびプロセス制御に関する小委員会 F01.06 が直接責任を負います。
現在の版は 2002 年 12 月 10 日に承認されました。
2003 年 2 月に発行されました。
最初は 1980 年に承認されました。
最後の前版は 1990 年に F 673 – 90 (1996)e1 として承認されました。
1 Copyright © ASTM International, 100 Barr Harbor Drive, PO Box C700, West Conshohocken, PA 19428-2959, United States.注意: この規格は新しいバージョンに置き換えられるか、廃止されます。
最新情報については、ASTM International (www.astm.org) にお問い合わせください。
1.5 この規格は、その使用に関連する安全上の懸念がある場合、そのすべてに対処することを目的とするものではありません。
適切な安全衛生慣行を確立し、使用前に規制上の制限の適用可能性を判断することは、この規格のユーザーの責任です。
ASTM F673-02 規範的参照
ASTM F673-02 発売履歴
