ASTM E1127-08(2015) オージェ電子分光法における深さプロファイリングの標準ガイド規格と仕様

範囲: 5.1 オージェ電子分光法では、表面付近の固体表面の化学的および物理的状態に関する情報が得られます。非破壊深さプロファイリングは、この表面付近の領域に限定されます。クレーターの深さと膜厚の測定方法は (1) に記載されています。 5 5.2 イオンスパッタリングは主に 1μm 程度未満の深さで使用されます。 5.3&# 角度ラッピングまたは機械的クレーター加工は、主に 1 &#μm 程度を超える深さに使用されます。 5.4 界面を調査するための深さ方向プロファイリング法の選択は、表面粗さ、界面粗さ、膜厚に依存します(2)。 5.5 深さプロファイルの界面幅は、Practice E1636 に記載されているロジスティック関数を使用して測定できます。 1.1 このガイドでは、オージェ電子分光法における深さプロファイリングに使用される手順について説明します。 1.2&# 深さプロファイリングのガイドラインは次のとおりです。セクションイオンスパッタリング&# 6 角度ラッピングと断面加工&# 7 機械的クレーター&# 8 メッシュレプリカ法 9 非破壊深さプロファイリング&# 10 1.3 SI 単位で記載されている値は標準値とみなされます。他の測定単位はありません...

ASTM E1127-08(2015) 規範的参照