ASTM E1127-03 ヘリカル電子分光法による深さプロファイリングの標準ガイド規格と仕様

範囲: オージェ電子分光法により、表面付近の固体表面の化学的および物理的状態に関する情報が得られます。非破壊深さプロファイリングは、この表面付近の領域に限定されます。クレーターの深さと膜厚を測定する技術は (35) に記載されています。イオンスパッタリングは主に 1μm 程度未満の深さで使用されます。アングルラッピングまたは機械的クレータは、主に 1 μm 程度を超える深さに使用されます。界面を調査するための深さプロファイリング法の選択は、表面粗さ、界面粗さ、および膜厚に依存します (1)。 3 1.1 このガイドでは、オージェ電子分光法における深さプロファイリングに使用される手順について説明します。 1.2 深さプロファイリングのガイドラインは、次のとおりです。 :イオンスパッタリング6角度ラッピングと断面加工7機械的クレータリング8非破壊深さプロファイリング91.3 この規格は、その使用に関連する安全上の問題がある場合、そのすべてに対処することを目的とするものではありません。適切な安全衛生慣行を確立し、使用前に規制上の制限の適用可能性を判断することは、この規格のユーザーの責任です。

ASTM E1127-03 規範的参照