GB/T 32189-2015
原子間力顕微鏡による窒化ガリウム単結晶基板の表面粗さの検査方法 (英語版)

規格番号

GB/T 32189-2015

言語

中国語版, 英語で利用可能

制定年

2016

出版団体

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China

最新版

GB/T 32189-2015

範囲

この規格は、化学的に長期間放置された単結晶基板の表面粗さを原子間力顕微鏡で検査する方法を規定しています。 この規格は、化学気相成長法やその他の方法で成長させた、表面粗さが 10 nm 未満の窒化された均質基板に適用されます。 同様の表面構造を有する他の半導体単体基板は、この規格に規定された方法により試験され、試験については双方が交渉により合意に達するものとする。

GB/T 32189-2015 規範的参照

• GB/T 14264 半導体材料用語
• GB/T 27760 Si(111) 結晶面の原子ステップを使用した原子間力顕微鏡のサブナノメートルの高さ測定を校正する方法
• GB/T 3505 製品幾何学的仕様 (GPS)、表面構造、等高線法、用語、定義および表面構造パラメータ
• JJF 1351 走査型プローブ顕微鏡の校正仕様

GB/T 32189-2015 発売履歴

• 2016 GB/T 32189-2015 原子間力顕微鏡による窒化ガリウム単結晶基板の表面粗さの検査方法