GB/T 27760-2011
Si(111) 結晶面の原子ステップを使用した原子間力顕微鏡のサブナノメートルの高さ測定を校正する方法 (英語版)

規格番号

GB/T 27760-2011

言語

中国語版, 英語で利用可能

制定年

2011

出版団体

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China

最新版

GB/T 27760-2011

範囲

この規格は、Si(111)結晶面原子段差サンプルを使用して原子間力顕微鏡のz方向スケールを校正するための測定方法を規定しています。 この規格は、大気または真空環境で動作する原子間力顕微鏡に適用され、z 方向の倍率は最大レベルに達します。 つまり、z 方向の変位はナノメートルおよびサブナノメートルの範囲にあります。 これは、半導体表面、光学デバイスの検出範囲、およびその他のハイテク部品の表面を検出するために使用される原子間力顕微鏡です。 この規格は、考えられるすべての安全上の問題を指摘しているわけではありません。 この規格を適用する前に、ユーザーは適切な安全衛生対策を講じ、関連する国内規制に規定されている条件を確実に遵守する責任があります。

GB/T 27760-2011 規範的参照

• ISO 25178-6:2010 製品の幾何学的仕様（GPS） 表面性状：表面 第6部：表面性状測定方法の分類
• ISO/IEC Guide 98-3:2008 測定の不確かさ パート 3: 測定の不確かさの表現に関するガイドライン (GUM-1995)
• ISO/TS 21748:2004 測定不確かさ推定値の再現性、再現性、および真の推定値の使用に関するガイダンス

GB/T 27760-2011 発売履歴

• 2011 GB/T 27760-2011 Si(111) 結晶面の原子ステップを使用した原子間力顕微鏡のサブナノメートルの高さ測定を校正する方法