GB/T 17170-2015
半絶縁ガリウム砒素単結晶ディープドナーEL2濃度赤外線吸収試験法 (英語版)
- 規格番号
- GB/T 17170-2015
- 言語
- 中国語版, 英語で利用可能
- 制定年
- 2015
- 出版団体
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- 最新版
- GB/T 17170-2015
- 交換する
- GB/T 17170-1997
- 範囲
- この規格は、半絶縁性ガリウムヒ素単結晶中の深いドナーEL2濃度の赤外線吸収試験方法を規定しています。 この規格は、抵抗率が 106 Ω・cm を超える非ドープおよび炭素ドープの半絶縁性ガリウムヒ素単結晶におけるディープドナー EL2 の濃度の測定に適用されます。 この規格は、クロムドープ半絶縁性ガリウム砒素単結晶ディープドナーの EL2 濃度の測定には適用されません。
GB/T 17170-2015 規範的参照
- GB/T 14264 半導体材料用語
GB/T 17170-2015 発売履歴
- 2015 GB/T 17170-2015 半絶縁ガリウム砒素単結晶ディープドナーEL2濃度赤外線吸収試験法
- 1997 GB/T 17170-1997 ノンドープ半絶縁性ガリウム砒素単結晶ディープレベルEL2濃度赤外線吸収試験法
