GB/T 17170-1997
ノンドープ半絶縁性ガリウム砒素単結晶ディープレベルEL2濃度赤外線吸収試験法 (英語版)
- 規格番号
- GB/T 17170-1997
- 言語
- 中国語版, 英語で利用可能
- 制定年
- 1997
- 出版団体
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- 状態
- 2016-07
- に置き換えられる
- GB/T 17170-2015
- 最新版
- GB/T 17170-2015
- 範囲
- この規格は、ノンドープの半絶縁性ガリウム砒素単結晶の赤外線吸収試験方法とそのウェーハ深層EL2濃度を規定しています。 この規格は、ノンドープの半絶縁性ガリウム砒素単結晶の EL2 濃度と、抵抗率が 107Ω・cm を超えるそのウェーハ深さレベルの測定に適用されます。 この規格は、クロムドープ半絶縁ガリウムヒ素サンプルの深いレベルでの EL2 濃度の測定には適用されません。
GB/T 17170-1997 発売履歴
- 2015 GB/T 17170-2015 半絶縁ガリウム砒素単結晶ディープドナーEL2濃度赤外線吸収試験法
- 1997 GB/T 17170-1997 ノンドープ半絶縁性ガリウム砒素単結晶ディープレベルEL2濃度赤外線吸収試験法
