GB/T 32495-2016
表面化学分析 二次イオン質量分析 シリコン中のヒ素の深さプロファイリング方法 (英語版)

規格番号

GB/T 32495-2016

言語

中国語版, 英語で利用可能

制定年

2016

出版団体

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China

最新版

GB/T 32495-2016

範囲

この規格は、セクター磁場または四重極二次イオン質量分析計によるシリコン中のヒ素の深さプロファイリングの方法と、スタイラスプロファイラーまたは光干渉計による深さの校正方法を詳細に規定しています。 この規格は単結晶シリコン、多結晶シリコンに適用されます。 結晶シリコンサンプルの場合、ピットの深さは 50 nm 以上です。

GB/T 32495-2016 規範的参照

• GB/T 20176-2006 表面化学分析、二次イオン質量分析、均一なドーピング種を使用したシリコン内のホウ素原子濃度の測定。
• GB/T 22461-2008 表面化学分析 用語集
• GB/T 25186-2010 表面化学分析 二次イオン質量分析 イオン注入された標準物質からの相対感度係数の決定
• ISO 18115-1 表面化学分析用語集 パート 1: 一般用語と分光法で使用される用語*， 2023-06-01 更新するには

GB/T 32495-2016 発売履歴

• 2016 GB/T 32495-2016 表面化学分析 二次イオン質量分析 シリコン中のヒ素の深さプロファイリング方法