GB/T 20176-2006
表面化学分析、二次イオン質量分析、均一なドーピング種を使用したシリコン内のホウ素原子濃度の測定。 (英語版)

規格番号

GB/T 20176-2006

言語

中国語版, 英語で利用可能

制定年

2006

出版団体

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China

最新版

GB/T 20176-2006

範囲

この規格は、校正済みの均一ドーパント (ホウ素を注入した基準物質で校正) を使用して、単結晶シリコン内のホウ素の原子濃度を測定するための二次イオン質量分析法を規定しています。 1×1016atoms/cm3 から 1×1020atoms/cm3 の範囲の均一なボロンドーピング濃度に適しています。

GB/T 20176-2006 規範的参照

• ISO 5725-2:1994 試験方法と結果の精度（正確性と精度） 第 2 部：標準試験方法の繰り返し性と再現性を判断するための基本的な方法

GB/T 20176-2006 発売履歴

• 2006 GB/T 20176-2006 表面化学分析、二次イオン質量分析、均一なドーピング種を使用したシリコン内のホウ素原子濃度の測定。