GB/T 13389-2014
ホウ素ドープリンドープヒ素ドープシリコン単結晶の抵抗率とドーパント濃度の換算手順 (英語版)

規格番号

GB/T 13389-2014

言語

中国語版, 英語で利用可能

制定年

2014

出版団体

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China

最新版

GB/T 13389-2014

交換する

GB/T 13389-1992

範囲

この規格は、ホウ素ドープ、リンドープ、ヒ素ドープのシリコン単結晶の抵抗率とドーパント濃度の間の換算関係を規定しています。 、リンと同様の他のドーパント。 この規格は、ボロンドーピング濃度1014cm-3～1×1020cm-3、リンドーピング濃度3×1013cm<上付き-3>～1×1020cm-3、ヒ素ドーピング濃度1019cm-3～6に適用されます。 ×1020cmホウ素ドープおよびリンドープのシリコン単結晶のドーパント濃度は 1012 cm-3 まで拡張できます。 この規格は、23℃におけるシリコン単結晶の抵抗率からキャリア濃度への換算にも使用できますが、ヒ素ドーパントのキャリア濃度の換算やその他のキャリア濃度の換算は含まれません。

GB/T 13389-2014 規範的参照

• GB/T 14264 半導体材料用語
• GB/T 1550 外部半導体材料の導電型の試験方法*， 2018-12-28 更新するには
• GB/T 1551 直流四探針法および直流二探針法によるシリコン単結晶の比抵抗測定*， 2021-05-21 更新するには
• GB/T 4326 固有半導体単結晶ホール移動度とホール係数の測定方法

GB/T 13389-2014 発売履歴

• 2014 GB/T 13389-2014 ホウ素ドープリンドープヒ素ドープシリコン単結晶の抵抗率とドーパント濃度の換算手順
• 1992 GB/T 13389-1992 ホウ素ドープリンシリコン単結晶の抵抗率とドーパント濃度の換算手順