GB/T 4326-2006
固有半導体単結晶ホール移動度とホール係数の測定方法 (英語版)

規格番号

GB/T 4326-2006

言語

中国語版, 英語で利用可能

制定年

2006

出版団体

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China

最新版

GB/T 4326-2006

交換する

GB/T 4326-1984

範囲

この規格で規定されている測定方法は、外部半導体単結晶材料のホール係数、キャリアホール移動度、抵抗率、キャリア濃度の測定に適しています。 この規格で規定されている測定方法は、ゲルマニウム、シリコン、ガリウム砒素、リン化ガリウムの単結晶材料について限られた範囲で実験室測定を行っているに過ぎませんが、この方法は他の半導体単結晶材料にも適用できます。 一般に、室温抵抗率が104Ω・cmまでの半導体単結晶材料の検査に適しています。

GB/T 4326-2006 発売履歴

• 2006 GB/T 4326-2006 固有半導体単結晶ホール移動度とホール係数の測定方法
• 1984 GB/T 4326-1984 固有半導体単結晶ホール移動度とホール係数の測定方法