GB/T 14141-2009
シリコンエピタキシャル層、拡散層、イオン注入層のシート抵抗測定 インライン四探針法 (英語版)

規格番号

GB/T 14141-2009

言語

中国語版, 英語で利用可能

制定年

2009

出版団体

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China

最新版

GB/T 14141-2009

交換する

GB/T 14141-1993

範囲

この規格は、シリコンのエピタキシャル層、拡散層、イオン注入層のシート抵抗を直列4プローブで測定する方法を規定しています。 この規格は、エピタキシー、拡散、またはイオン注入によってシリコン ウェーハの表面上または下に形成された、直径 15.9 mm を超える薄層の平均シート抵抗の測定に適用されます。 シリコン基板の導電型は、測定対象の薄層の導電型とは逆です。 厚さ0.2μm以上の薄層の測定に適しており、シート抵抗の測定範囲は10Ω～5000Ωです。 この方法は、より高い値またはより低い値のシート抵抗測定にも適用できますが、その測定精度は評価されていません。

GB/T 14141-2009 規範的参照

• GB/T 11073-2007 シリコンウェーハの面内抵抗率変化の測定方法
• GB/T 1552-1995 インライン四探針法によるシリコンおよびゲルマニウム単結晶の抵抗率測定

GB/T 14141-2009 発売履歴

• 2009 GB/T 14141-2009 シリコンエピタキシャル層、拡散層、イオン注入層のシート抵抗測定 インライン四探針法
• 1993 GB/T 14141-1993 シリコンエピタキシャル層、拡散層、イオン注入層のシート抵抗の測定