GB/T 1552-1995
インライン四探針法によるシリコンおよびゲルマニウム単結晶の抵抗率測定 (英語版)
- 規格番号
- GB/T 1552-1995
- 言語
- 中国語版, 英語で利用可能
- 制定年
- 1995
- 出版団体
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- 状態
- 2010-06
- に置き換えられる
- GB/T 1551-2009
- 最新版
- GB/T 1551-2021
- 範囲
- この規格は、4 本のインラインプローブを使用してシリコンおよびゲルマニウムの単結晶の抵抗率を測定する方法を指定します。 この規格は、厚さとサンプルの端からプローブの終点までの最短距離の両方が制御ピン間の間隔の 4 倍を超え、直径がプローブ間の間隔よりも大きい。 厚さがピン間隔の 4 倍未満であるシリコンおよびゲルマニウムの単一ウェーハ (ウェーハと呼ばれる) の抵抗率の 10 倍。 測定範囲はシリコン：1×10-3～3×103Ω・cm、ゲルマニウム：1×10-3、1×102Ω・cmです。
GB/T 1552-1995 発売履歴
- 2021 GB/T 1551-2021 直流四探針法および直流二探針法によるシリコン単結晶の比抵抗測定
- 2009 GB/T 1551-2009 シリコン単結晶の抵抗率測定方法
- 1995 GB/T 1552-1995 インライン四探針法によるシリコンおよびゲルマニウム単結晶の抵抗率測定
GB/T 1552-1995 インライン四探針法によるシリコンおよびゲルマニウム単結晶の抵抗率測定 は GB/T 1551-2009 シリコン単結晶の抵抗率測定方法 に変更されます。
