GB/T 6619-2009
シリコンウェーハの曲げ試験方法 (英語版)
- 規格番号
- GB/T 6619-2009
- 言語
- 中国語版, 英語で利用可能
- 制定年
- 2009
- 出版団体
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- 最新版
- GB/T 6619-2009
- 交換する
- GB/T 6619-1995
- 範囲
- この規格は、シリコン単結晶スライス、研削スライス、研磨スライスの曲率を接触式で測定する方法を規定しています。 この規格は、直径 25 mm 以上、厚さ 180 μm 以上、直径と厚さの比が 250 以下の円形のシリコンウェーハの曲率の測定に適用されます。 この試験方法の目的材料の受け入れとプロセス管理のためのものです。 この規格は他の半導体ウェーハの曲率測定にも適用できます。
GB/T 6619-2009 規範的参照
- GB/T 14264 半導体材料用語
- GB/T 2828.1 目録抜き取り検査手順その1：合格品質限界（AQL）から探すロットごとの抜き取り検査計画*， 2013-02-15 更新するには
GB/T 6619-2009 発売履歴
- 2009 GB/T 6619-2009 シリコンウェーハの曲げ試験方法
- 1995 GB/T 6619-1995 シリコンウェーハの曲げ試験方法
