ASTM F616M-96(2003)
MOSFET (金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ) のリーク電流を測定するための標準的な試験方法 (メートル単位)
- 規格番号
- ASTM F616M-96(2003)
- 制定年
- 1996
- 出版団体
- American Society for Testing and Materials (ASTM)
- 状態
- 2009-12
- 最新版
- ASTM F616M-96(2003)
- 範囲
- 1.1 このテスト方法は、MOSFET (注 1) のドレイン リーク電流の測定を対象としています。 注 18212;MOS は金属酸化膜半導体の頭字語です。 FET は、電界効果トランジスタの頭字語です。 1.2 このテスト方法は、すべてのエンハンスメント モードおよびデプレッション モード MOSFET に適用できます。 このテスト方法では、正の電圧と電流を指定します。 これは、n チャネル MOSFET に特に適用される規則です。 負の電圧と負の電流を置き換えることにより、この方法は p チャネル MOSFET に直接適用できます。 1.3 この DC テスト方法は、0 V を超え、ドレイン降伏電圧未満のドレイン電圧の範囲に適用できます。 1.4 この規格は、その使用に関連する安全上の懸念がある場合には、そのすべてに対処します。 適切な安全衛生慣行を確立し、使用前に規制上の制限の適用可能性を判断することは、この規格のユーザーの責任です。
ASTM F616M-96(2003) 規範的参照
- ASTM E178 遠隔観測を実施するための標準作業手順
ASTM F616M-96(2003) 発売履歴
- 1996 ASTM F616M-96(2003) MOSFET (金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ) のリーク電流を測定するための標準的な試験方法 (メートル単位)
- 1996 ASTM F616M-96 MOSFET (金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ) のリーク電流を測定するための標準的な試験方法 (メートル単位)
