ASTM F616M-96
MOSFET (金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ) のリーク電流を測定するための標準的な試験方法 (メートル単位)

規格番号

ASTM F616M-96

制定年

1996

出版団体

American Society for Testing and Materials (ASTM)

状態

入れ替わる

に置き換えられる

ASTM F616M-96(2003)

最新版

ASTM F616M-96(2003)

範囲

1.1 この試験方法は、MOSFET (注 1) のドレイン漏れ電流の測定を対象としています。 注 1-MOS は金属酸化膜半導体の頭字語です。 FETとは電界効果トランジスタの略称です。 1.2 このテスト方法は、すべてのエンハンスメント モードおよびデプレッション モード MOSFET に適用できます。 このテスト方法では、正の電圧と電流を指定します。 これは、n チャネル MOSFET に特に適用される規則です。 負の電圧と負の電流を置き換えることにより、この方法は p チャネル MOSFET に直接適用できるようになります。 1.3 DC テスト方法は、0 V より大きくドレイン降伏電圧未満のドレイン電圧の範囲に適用できます。 1.4 この規格は、その使用に関連する安全上の懸念がある場合、そのすべてに対処することを目的とするものではありません。 適切な安全衛生慣行を確立し、使用前に規制上の制限の適用可能性を判断することは、この規格のユーザーの責任です。

ASTM F616M-96 発売履歴

• 1996 ASTM F616M-96(2003) MOSFET (金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ) のリーク電流を測定するための標準的な試験方法 (メートル単位)
• 1996 ASTM F616M-96 MOSFET (金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ) のリーク電流を測定するための標準的な試験方法 (メートル単位)