GB/T 41852-2022
半導体デバイスのMEMS構造の接合強度の曲げ試験およびせん断試験方法 (英語版)

規格番号
GB/T 41852-2022
言語
中国語版, 英語で利用可能
制定年
2022
出版団体
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
最新版
GB/T 41852-2022
範囲
この文書は、円筒状の試験片を使用してマイクロスケール要素と基板の間の接着強度を測定するための試験方法を規定しています。 この文書は、基板上の幅と厚さが 1 μm ~ 1 mm の微細構造の接合強度試験に適用できます。 MEMS デバイスのマイクロスケール ユニットは、蒸着、電気めっき、接着、フォトリソグラフィーなどのプロセスによって基板上に生成された積層された微細なフィルム パターンで構成されています。 MEMS デバイスには、異なる材料間に多数の界面が含まれており、製造中または使用中に層間剥離が発生することがあります。 結合強度は、接続界面での材料結合によって決まります。 また、プロセス条件の変化により界面付近の欠陥や残留応力が変化し、接合強度に大きな影響を与えます。 本文書は、MEMSデバイスの材料やプロセス条件を最適化するための、微小ユニットの接合強度試験方法を規定したものです。 MEMS デバイスを構成する材料やサイズは多岐にわたり、マイクロサイズのユニットを測定するために使用される機器は十分に普及していないため、この文書ではサンプルの材料、サイズ、特性について特別な制限を設けていません。

GB/T 41852-2022 規範的参照

  • IEC 62047-2:2006 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 2: 薄膜材料の引張試験方法

GB/T 41852-2022 発売履歴

  • 2022 GB/T 41852-2022 半導体デバイスのMEMS構造の接合強度の曲げ試験およびせん断試験方法
半導体デバイスのMEMS構造の接合強度の曲げ試験およびせん断試験方法



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