SAE J1752/3-2017
集積回路からの放射の測定 EM/広帯域 TEM (GTEM) セル法、TEM セル (150 kHz ～ 1 GHz)、広帯域 TEM セル (150 kHz ～ 8 GHz)

規格番号

SAE J1752/3-2017

制定年

2017

出版団体

Society of Automotive Engineers (SAE)

最新版

SAE J1752/3-2017

範囲

この測定手順は、集積回路 (IC) からの電磁放射を測定する方法を定義します。 評価される IC は、TEM または広帯域 TEM (GTEM) セルの上部または底部にカットされた嵌合ポート (ウォール ポートと呼ばれる) にクランプされた IC テスト プリント基板 (PCB) に取り付けられます。 テストボードは従来の使用法のようにセル内に設置されるのではなく、セル壁の一部となります。 この方法は、壁ポートを組み込むように変更された任意の TEM または GTEM セルに適用できます。 ただし、測定された RF 電圧は、セプタムとテスト基板 (壁) の間隔の影響を受けます。 この手順は、隔壁と壁の間隔が 45 mm の 1 GHz TEM セルと、ポート領域全体で隔壁と壁の平均間隔が 45 mm の GTEM セルを使用して開発されました。 他のセルは同一のスペクトル出力を生成しない可能性がありますが、周波数と感度の制限に従って比較測定に使用できます。

SAE J1752/3-2017 発売履歴

• 2017 SAE J1752/3-2017 集積回路からの放射の測定 EM/広帯域 TEM (GTEM) セル法、TEM セル (150 kHz ～ 1 GHz)、広帯域 TEM セル (150 kHz ～ 8 GHz)
• 2011 SAE J1752/3-2011 集積回路TEM/広帯域TEM(GTEM)ユニット法による放射エミッション測定; TEMユニット(150kHz～1GHz)、広帯域TEMユニット(150kHz～8GHz)
• 2003 SAE J1752/3-2003 集積回路TEM/広帯域TEM（GTEM）ユニット法による放射エミッション測定; TEMセル（150 kHz～1 GHz）、広帯域TEMセル（150 kHz～8 GHz）
• 1995 SAE J1752/3-1995 集積回路からの放射の測定 - Tem/ブロードバンド Tem (Gtem) セル法、Tem Cell (150 Khz ～ 1 Ghz)、ブロードバンド Tem Cell (150 Khz ～ 8 Ghz)

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