ASTM E2245-11(2018)
光学干渉計を用いた反射薄膜の残留ひずみ測定の標準試験方法

規格番号
ASTM E2245-11(2018)
制定年
2018
出版団体
American Society for Testing and Materials (ASTM)
最新版
ASTM E2245-11(2018)
範囲
1.1 この試験方法では、薄膜の圧縮残留歪みを測定する手順を説明します。 これは、微小電気機械システム (MEMS) 材料に見られるような、光学干渉計 (干渉顕微鏡とも呼ばれる) を使用して画像化できるフィルムにのみ適用されます。 下層に接触する固定-固定梁からの測定は受け入れられません。 1.2 この試験方法では、地形的な 3D データセットを取得できる非接触光学干渉顕微鏡を使用します。 それは実験室で行われます。 1.3 この規格は、その使用に関連する安全上の懸念がある場合、そのすべてに対処することを目的とするものではありません。 適切な安全、健康、および環境慣行を確立し、使用前に規制上の制限の適用可能性を判断するのは、この規格のユーザーの責任です。 1.4 この国際規格は、世界貿易機関貿易技術障壁 (TBT) 委員会によって発行された国際規格、ガイドおよび推奨事項の開発のための原則に関する決定で確立された、国際的に認められた標準化原則に従って開発されました。

ASTM E2245-11(2018) 規範的参照

  • ASTM E2244 光学干渉法を使用して反射フィルムの共面長を測定するための標準的な試験方法*2024-04-09 更新するには
  • ASTM E2246 光学干渉法を使用して反射フィルムのひずみ勾配を測定するための標準的な試験方法*2024-04-09 更新するには
  • ASTM E2444 反射膜の測定に関する用語*2024-04-09 更新するには
  • ASTM E2530 Si(111) 単一原子レベルを使用したサブナノメートル変位による原子間力顕微鏡の Z 倍率校正の標準手順*2024-04-09 更新するには

ASTM E2245-11(2018) 発売履歴

  • 2018 ASTM E2245-11(2018) 光学干渉計を用いた反射薄膜の残留ひずみ測定の標準試験方法
  • 2011 ASTM E2245-11e1 光干渉法を使用して反射膜の残留歪みを測定するための標準的な試験方法
  • 2011 ASTM E2245-11 光干渉法を使用して反射膜の残留歪みを測定するための標準的な試験方法
  • 2005 ASTM E2245-05 光干渉法を使用して反射膜の残留応力を測定するための標準的な試験方法
  • 2002 ASTM E2245-02 光干渉法を使用して反射膜の残留応力を測定するための標準的な試験方法
光学干渉計を用いた反射薄膜の残留ひずみ測定の標準試験方法



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