ASTM F1049-00
シリコンウェーハの浅いエッチピット検査の標準的な手法

規格番号
ASTM F1049-00
制定年
2000
出版団体
American Society for Testing and Materials (ASTM)
状態
に置き換えられる
ASTM F1049-02
最新版
ASTM F1049-02
範囲
1.1 この手法は、シリコン エピタキシャル ウェーハまたは研磨ウェーハの表面付近の金属不純物のレベルに関連している可能性がある浅いエッチ ピットを検出するために使用されます。 1.2 この手法は、欠陥密度の評価での使用は推奨されませんが、研磨またはエピタキシャル ウェーハの表面上の欠陥密度と分布を推定する主観的な手段として推奨されます。 １．３ ｐ型またはｎ型のいずれかにドープされ、０．００５Ωドットｃｍ程度の低い抵抗率を有するシリコン結晶を評価することができる。 この方法は、(111) または (100) の結晶方位で成長したシリコン ウェーハに適用できます。 1.4 この実践では、熱酸化プロセスに続いて化学優先エッチング液を使用して、浅いエッチ ピットを作成し、輪郭を描きます。 1.5 許容可能なメートル単位で記載された値は標準とみなされます。 括弧内の値は情報提供のみを目的としています。 1.6 この規格は、その使用に関連する安全上の懸念がある場合、そのすべてに対処することを目的とするものではありません。 適切な安全衛生慣行を確立し、使用前に規制上の制限の適用可能性を判断することは、この規格のユーザーの責任です。 具体的な危険性に関する記述はセクション 9 に記載されています。

ASTM F1049-00 規範的参照

  • ASTM D5127 電子・半導体産業用超純水の規格ガイド
  • ASTM F154 
  • ASTM F1725 シリコンインゴットの結晶学的完全性分析のための標準ガイド
  • ASTM F1727 研磨されたシリコンウェーハの酸化誘発欠陥を検出するための標準的な手法
  • ASTM F1809 シリコンの構造欠陥を引き起こすエッチング溶液の選択と使用に関する標準ガイド
  • ASTM F1810 

ASTM F1049-00 発売履歴

シリコンウェーハの浅いエッチピット検査の標準的な手法


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