GB/T 36477-2018
半導体集積回路のフラッシュメモリのテスト方法 (英語版)

規格番号

GB/T 36477-2018

言語

中国語版, 英語で利用可能

制定年

2018

出版団体

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China

最新版

GB/T 36477-2018

範囲

この規格は、半導体集積回路フラッシュメモリの電気的パラメータ、時間パラメータ、メモリセル機能をテストするための基本的な方法を規定しています。 この規格は、半導体集積回路の分野におけるフラッシュメモリの電気的パラメータ、時間パラメータ、メモリセル機能のテストに適用されます。

GB/T 36477-2018 規範的参照

• GB/T 17574-1998 半導体デバイス集積回路パート 2; デジタル集積回路

GB/T 36477-2018 発売履歴

• 2018 GB/T 36477-2018 半導体集積回路のフラッシュメモリのテスト方法