GB/T 14119-1993
半導体集積回路用バイポーラ融合プログラマブル読み出し専用メモリの空白の詳細仕様 (英語版)

規格番号

GB/T 14119-1993

言語

中国語版, 英語で利用可能

制定年

1993

出版団体

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China

最新版

GB/T 14119-1993

範囲

この仕様書は、半導体集積回路のバイポーラヒューズ型プログラマブルリードオンリメモリ（以下、デバイスという）の詳細な仕様を作成するための基本原則を規定するものである。

GB/T 14119-1993 発売履歴

• 1993 GB/T 14119-1993 半導体集積回路用バイポーラ融合プログラマブル読み出し専用メモリの空白の詳細仕様