GB/T 14145-1993
干渉位相差顕微鏡によるシリコンエピタキシャル層の積層欠陥密度の測定 (英語版)

規格番号

GB/T 14145-1993

言語

中国語版, 英語で利用可能

制定年

1993

出版団体

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China

状態

撤回

最新版

GB/T 14145-1993

範囲

この規格は、干渉位相差顕微鏡を使用してシリコンエピタキシャル層の積層欠陥密度を非破壊で測定する方法を規定しています。 この規格は、シリコンエピタキシャル層の厚さが3μm以上で、エピタキシャル層の結晶方位が{111}結晶面または{100}結晶面から大きくずれているサンプルの積層欠陥密度の測定に適用されます。 小さな角度。 積層欠陥密度が15000cm-2を超えたり、エピタキシャル層の結晶方位が｛111｝結晶面や｛100｝結晶面からずれると測定精度が低下する。

GB/T 14145-1993 発売履歴

• 1993 GB/T 14145-1993 干渉位相差顕微鏡によるシリコンエピタキシャル層の積層欠陥密度の測定