GB/T 11073-1989
シリコンウェーハの面内抵抗率変化の測定方法 (英語版)
- 規格番号
- GB/T 11073-1989
- 言語
- 中国語版, 英語で利用可能
- 制定年
- 1989
- 出版団体
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- 状態
- 2008-02
- に置き換えられる
- GB/T 11073-2007
- 最新版
- GB/T 11073-2007
- 範囲
- この規格は、インライン四探針法によるシリコン枚葉ウェーハの径方向の抵抗率変化を測定する方法を規定しています。 この規格は、厚さがプローブ間の平均距離より小さく、直径が15 mmを超え、抵抗率が1×10-3～1×103Ωのシリコンウェーハに適用されます。 Cmシリコン枚葉径方向抵抗率変化の測定。
GB/T 11073-1989 発売履歴
- 2007 GB/T 11073-2007 シリコンウェーハの面内抵抗率変化の測定方法
- 1989 GB/T 11073-1989 シリコンウェーハの面内抵抗率変化の測定方法
