JC/T 2133-2012
半導体研磨液用シリカゾル中の不純物元素含有量の測定～誘導結合プラズマ発光分析法～ (英語版)

規格番号

JC/T 2133-2012

言語

中国語版, 英語で利用可能

制定年

2012

出版団体

Professional Standard - Building Materials

最新版

JC/T 2133-2012

範囲

この規格は、誘導結合プラズマ原子発光分析法（ICP-AES）を用いて、半導体研磨液用シリカゾル中の不純物元素の含有量を測定する方法を規定しています。 この規格は、半導体化学機械研磨（CMP）における研磨液に使用される各種シリカゾルに適用されます。 不純物元素には、アルミニウム、バリウム、カルシウム、クロム、銅、鉄、カリウム、マグネシウム、マンガン、ナトリウム、ニッケル、チタン、亜鉛、ジルコニウムなど14元素が含まれます。

JC/T 2133-2012 規範的参照

• GB/T 602 化学試薬の不純物測定用標準液の調製
• GB/T 6682 分析実験室用水の仕様と試験方法

JC/T 2133-2012 発売履歴

• 2012 JC/T 2133-2012 半導体研磨液用シリカゾル中の不純物元素含有量の測定～誘導結合プラズマ発光分析法～