DS/EN 62373:2006
金属酸化物、半導体、電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性試験

規格番号

DS/EN 62373:2006

制定年

2006

出版団体

Danish Standards Foundation

最新版

DS/EN 62373:2006

範囲

この規格は、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度 (BT) 安定性テストのテスト手順を提供します。

DS/EN 62373:2006 発売履歴

• 2006 DS/EN 62373:2006 金属酸化物、半導体、電界効果トランジスタ (MOSFET) のバイアス温度安定性試験