DS/EN 60749-2:2003
半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 2 部: 低気圧
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DS/EN 60749-2:2003
規格番号
DS/EN 60749-2:2003
制定年
2003
出版団体
Danish Standards Foundation
状態
入れ替わる
2003-12
に置き換えられる
DS/EN 60749-2/Corr.1:2004
最新版
DS/EN 60749-2/Corr.1:2004
範囲
IEC 60749 のこの部分では、半導体デバイスの低気圧のテストについて説明します。 この試験は主に、減圧下での空気やその他の絶縁材料の絶縁耐力の低下による電圧破壊故障を回避する構成部品や材料の能力を判断することを目的としています。 このテストは、動作電圧が 1000 V を超えるデバイスにのみ適用されます。
DS/EN 60749-2:2003 発売履歴
2004
DS/EN 60749-2/Corr.1:2004
半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 2 部: 低気圧
2003
DS/EN 60749-2:2003
半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 2 部: 低気圧
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