IEC 60747-8:2010 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 8: 電界効果トランジスタ規格と仕様

範囲: IEC 60747 のこの部分では、電界効果トランジスタの次のカテゴリの規格が規定されています。 – タイプ A: 接合ゲート型。 – タイプB：絶縁ゲートデプレッション（ノーマリーオン）タイプ。 – タイプ C: 絶縁ゲート強化型 (ノーマリオフ) タイプ。電界効果トランジスタには 1 つまたは複数のゲートがあるため、以下に示す分類が得られます。注 1 ショットキーバリアゲートおよび絶縁ゲートデバイスには、デプレッション型デバイスとエンハンスメント型デバイスが含まれます。注 2 一部のアプリケーションの MOSFET には、データシートに逆ダイオード特性が記載されていない場合があります。このような用途向けに、ボディダイオードを排除するための特別な回路素子構造が開発中です。モーター制御機器などの MOSFET アプリケーションでは、逆ダイオードをフリーホイールダイオードとして使用するために、MOSFET の逆ダイオード特性を指定する必要があります。注 3 この規格では、タイプ C のみの図記号が使用されます。この規格は、P チャネルとタイプ A および B のデバイスに同様に適用されます。

IEC 60747-8:2010 発売履歴

2021 IEC 60747-8:2010/AMD1:2021 半導体デバイスディスクリートデバイスパート 8: 電界効果トランジスタ
2021 IEC 60747-8:2021 半導体デバイスディスクリートデバイスパート 8: 電界効果トランジスタ
2010 IEC 60747-8:2010 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 8: 電界効果トランジスタ
2000 IEC 60747-8:2000 半導体デバイスパート 8: 電界効果トランジスタ
1970 IEC 60747-8:1984/AMD2:1993 修正 2 - 半導体デバイス - ディスクリートデバイス - パート 8: 電界効果トランジスタ
1970 IEC 60747-8:1984/AMD1:1991 修正 1 - 半導体デバイス - ディスクリートデバイス - パート 8: 電界効果トランジスタ
1984 IEC 60747-8:1984 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 8: 電界効果トランジスタ