IEC 60747-7:2010
半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 7: バイポーラトランジスタ

規格番号

IEC 60747-7:2010

制定年

2010

出版団体

International Electrotechnical Commission (IEC)

状態

入れ替わる

に置き換えられる

IEC 60747-7:2019

最新版

IEC 60747-7:2010/AMD1:2019

交換する

IEC 47E/404/FDIS:2010 IEC 60747-7:2000

範囲

IEC 60747-7 のこの部分では、マイクロ波トランジスタを除くバイポーラ トランジスタの次のサブカテゴリに適用される要件が規定されています。 – 小信号トランジスタ（スイッチングおよびマイクロ波アプリケーションを除く）。 – リニアパワートランジスタ（スイッチング、高周波、マイクロ波アプリケーションを除く）。 – アンプおよび発振器アプリケーション用の高周波パワートランジスタ。 – 高速スイッチングおよびパワースイッチングアプリケーション用のスイッチングトランジスタ。 – 抵抗バイアスされたトランジスタ。

IEC 60747-7:2010 規範的参照

• IEC 60050-521:2002 国際的な電気技術用語パート 521: 半導体デバイスと集積回路
• IEC 60747-1:2006 半導体デバイス パート 1: 一般
• IEC 60747-4:2007 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 4: マイクロ波ダイオードとトランジスタ

IEC 60747-7:2010 発売履歴

• 2019 IEC 60747-7:2010/AMD1:2019 半導体デバイス ディスクリートデバイス 第7部：バイポーラトランジスタ
• 2019 IEC 60747-7:2019 半導体デバイス ディスクリートデバイス 第7部：バイポーラトランジスタ
• 2010 IEC 60747-7:2010 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 7: バイポーラトランジスタ
• 2000 IEC 60747-7:2000 半導体デバイス パート 7: バイポーラ トランジスタ
• 1970 IEC 60747-7:1988/AMD2:1994 修正 2 - 半導体デバイス - ディスクリートデバイス - パート 7: バイポーラトランジスタ
• 1970 IEC 60747-7:1988/AMD1:1991 修正 1 - 半導体デバイス - ディスクリートデバイス - パート 7: バイポーラトランジスタ
• 1988 IEC 60747-7:1988 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 7: ダイオード