GB/T 26070-2010
化合物半導体研磨ウェーハの表面下損傷の反射差分スペクトル検査方法 (英語版)

規格番号

GB/T 26070-2010

言語

中国語版, 英語で利用可能

制定年

2011

出版団体

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China

最新版

GB/T 26070-2010

範囲

この規格は、III-V族化合物半導体単結晶研磨ウェーハの表面下損傷の試験方法を規定しています。 この規格は、GaAs、InP（GaP、GaSbを指します）およびその他の化合物半導体単結晶研磨ウェーハの表面下ダメージの測定に適用されます。

GB/T 26070-2010 発売履歴

• 2011 GB/T 26070-2010 化合物半導体研磨ウェーハの表面下損傷の反射差分スペクトル検査方法