JIS K 0148:2005
表面化学分析 全反射蛍光 X 線 (TXRF) 測定を使用した、シリコン ウェーハ上の主な表面汚染物質の測定。

規格番号

JIS K 0148:2005

制定年

2005

出版団体

Japanese Industrial Standards Committee (JISC)

状態

入れ替わる

に置き換えられる

JIS K 0148 ERRATUM 1:2005

最新版

JIS K 0148 ERRATUM 1:2005

範囲

この規格は，シリコン鏡面ウェーハ又はエピタキシャルウェーハの表面原子濃度を，全反射蛍光X線分折法(TXRF)によって定量する方法について規定する。 この方法は，次の元素分析に適用する。—原子番号が16(S)から92(U)までの元素 —表面原子濃度が1 × 10<上10> atoms/cm<上2>から1 × 10<上14> atoms/cm<上2>までの汚染元素 —VPD試料前処理法を用いる場合は，表面原子濃度が5 × 10<上8> atoms/cm<上2>から5 × 10<上12> atoms/cm<上2>までの汚染元素

JIS K 0148:2005 発売履歴

• 2005 JIS K 0148 ERRATUM 1:2005 正誤表
• 2005 JIS K 0148:2005 表面化学分析 全反射蛍光 X 線 (TXRF) 測定を使用した、シリコン ウェーハ上の主な表面汚染物質の測定。