GB/T 24576-2009
GaAs基板上に成長させたAlGaAs中のAl組成の高分解能X線回折測定の試験方法 (英語版)

規格番号

GB/T 24576-2009

言語

中国語版, 英語で利用可能

制定年

2009

出版団体

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China

最新版

GB/T 24576-2009

範囲

この規格は、高分解能X線回折によってGaAs基板上のAlGaAsエピタキシャル層中のAl含有量を測定するための試験方法を規定しています。 この方法は、アンドープ GaAs 基板の方向に成長した AlGaAs エピタキシャル層の Al 含有量を測定するのに適しています。 この方法を使用して Al 元素含有量を測定する場合、AlGaAs エピタキシャル層の厚さは 300 nm 以上である必要があります。

GB/T 24576-2009 発売履歴

• 2009 GB/T 24576-2009 GaAs基板上に成長させたAlGaAs中のAl組成の高分解能X線回折測定の試験方法