ASTM E521-96
荷電粒子照射法による中性子線損傷シミュレーション手順

規格番号

ASTM E521-96

制定年

1996

出版団体

American Society for Testing and Materials (ASTM)

状態

入れ替わる

に置き換えられる

ASTM E521-96(2003)

最新版

ASTM E521-23

範囲

1.1 この実践は、金属および合金の荷電粒子照射の実行に関するガイダンスを提供します。 それは一般に、試料内で静止する浸透力の低いイオンを使用して実行される微細構造および微細化学的変化の研究に限定されます。 密度の変化を直接測定でき、他の特性の変化を推測できます。 この情報は、中性子照射によって生じる同様の変化を推定するために使用できます。 より一般的には、この情報は、広範囲の材料および照射条件における放射線損傷の基本的なメカニズムを推定するのに役立ちます。 1.2 ここでのシミュレーションという言葉は、関連する中性子照射環境の近似を意味する広い意味で使用されています。 適合度は、悪いものからほぼ正確なものまでさまざまです。 その目的は、中性子照射と荷電粒子照射の 1 つまたは複数の側面の間の対応関係を作成し、照射または材料パラメータと材料応答の間に基本的な関係が確立されるようにすることです。 1.3 実践は次のようになります: セクション 装置 4 試料の準備 5-10 照射技術 (ヘリウム注入を含む) 11-12 損傷計算 13 照射後検査 14-16 結果の報告 17 相関関係と解釈 18-22 1.4 この規格は、次のことを目的とするものではありません。 使用に関連する安全上の懸念がある場合は、すべてに対処します。 適切な安全衛生慣行を確立し、使用前に規制上の制限の適用可能性を判断することは、この規格のユーザーの責任です。

ASTM E521-96 発売履歴

• 2023 ASTM E521-23 荷電粒子照射を使用した中性子線の損傷影響を研究するための標準的な手法
• 2016 ASTM E521-16 荷電粒子照射を使用した中性子線損傷の影響を研究するための標準的な手法
• 1996 ASTM E521-96(2009)e2 荷電粒子照射法を使用した中性子線損傷のシミュレーションの標準的な手法
• 1996 ASTM E521-96(2009)e1 荷電粒子照射法を使用した中性子線損傷のシミュレーションの標準的な手法
• 1996 ASTM E521-96(2009) 荷電粒子照射法を使用した中性子線損傷のシミュレーションの標準的な手法
• 1996 ASTM E521-96(2003) 荷電粒子照射法による中性子線損傷シミュレーション手順
• 1996 ASTM E521-96 荷電粒子照射法による中性子線損傷シミュレーション手順