ASTM F676-97(2003)
不飽和トランジスタ論理回路が吸収する電流を測定する試験方法
- 規格番号
- ASTM F676-97(2003)
- 制定年
- 1997
- 出版団体
- American Society for Testing and Materials (ASTM)
- 状態
- 2009-12
- 最新版
- ASTM F676-97(2003)
- 範囲
- 不飽和シンク電流は、TTL 回路の出力トランジスタのゲインに密接に関係する特別なパラメータです。 このパラメータは、デバイスの劣化に伴って滑らかに変化し、中程度の放射線レベルでは標準の電気パラメータよりも大きな変化を示すため、TTL デバイスの中性子劣化を評価する場合に特に役立ちます。 1.1 この試験方法は、トランジスタの不飽和シンク電流の測定をカバーします。 1.2 単位 8212; 国際単位系 (SI) に記載されている値は標準とみなされます。 この規格には他の測定単位は含まれていません。 1.3 この規格は、その使用に関連する安全上の懸念がある場合でも、そのすべてに対処することを目的とするものではありません。 適切な安全衛生慣行を確立し、使用前に規制上の制限の適用可能性を判断することは、この規格のユーザーの責任です。
ASTM F676-97(2003) 規範的参照
- ASTM E178 遠隔観測を実施するための標準作業手順
ASTM F676-97(2003) 発売履歴
- 1997 ASTM F676-97(2003) 不飽和トランジスタ論理回路が吸収する電流を測定する試験方法
- 1997 ASTM F676-97 不飽和トランジスタ論理回路によって吸収される電流を測定する方法
