ASTM D7240-06
容量性技術による、導電層に密接した絶縁マルチフィルムの漏れ箇所を決定するための標準的な手法 (導電マルチスパークテスト)

規格番号

ASTM D7240-06

制定年

2006

出版団体

American Society for Testing and Materials (ASTM)

状態

入れ替わる

に置き換えられる

ASTM D7240-06(2011)

最新版

ASTM D7240-18

範囲

1.1 この規格は、導電層と密接に接触している絶縁層を備えた露出したジオメンブレンの漏れを電気的に特定するためにスパーク試験を使用するための性能ベースの実践です。 明確にするために、この文書では、取り付けられたジオメンブレン ( で定義) の部分的または全体領域にわたる穴、穴、裂け目、切断、亀裂、および同様の破損を意味する用語として「漏れ」を使用します。 1.2 この試験方法は、盆地、池、タンク、鉱石および廃棄物パッド、埋め立てセル、埋め立てキャップ、およびその他の封じ込め施設に設置された露出したジオメンブレンに使用できます。 この規格は、導電性表面と直接密接に接触しているジオメンブレン、または一体的に含まれる導電層を備えたジオメンブレンに適用されます。 1.3 安全警告: ジオメンブレンのリーク位置を特定するために使用される電気的方法では、高電圧、低電流の電源が使用されるため、電気的危険が生じる可能性があります。 ショック。 ジオメンブレンの漏れ箇所を特定するために使用される電気的方法は、資格のある経験豊富な担当者のみが試みる必要があります。 漏洩場所のオペレーターや現場の他の人々を保護するには、適切な安全対策を講じる必要があります。 この規格は、その使用に関連する安全性および責任に関する懸念がある場合、そのすべてに対処することを目的とするものではありません。 適切な安全衛生慣行を確立し、使用前に規制上の制限の適用可能性を判断することは、この規格のユーザーの責任です。

ASTM D7240-06 発売履歴

• 2018 ASTM D7240-18 容量性技術により導電層と密接した絶縁層を備えたジオメンブレンを使用した漏電箇所の標準的な実践 (導電性バッキングジオメンブレンのスパーク試験)
• 2006 ASTM D7240-06(2011) 静電容量法による導電層に密着した絶縁膜の漏れ箇所の判定の標準手法（導電膜スパーク試験）
• 2006 ASTM D7240-06 容量性技術による、導電層に密接した絶縁マルチフィルムの漏れ箇所を決定するための標準的な手法 (導電マルチスパークテスト)