UL 1557-2006 半導体デバイスの電気絶縁規格と仕様

範囲: これらの要件は、電圧が 600 V AC rms または DC を超えない、サイリスタ、トランジスタ、ダイオードなどの絶縁実装タイプの半導体デバイス、およびこれらのデバイスの組み合わせで構成されるハイブリッドモジュールに適用されます。 1.2 これらの要件は、サイリスタ、トランジスタ、またはその他のアナログ半導体デバイスに関連するスナバおよび整流回路には適用されません。 1.3 これらの要件は、サイリスタ、トランジスタ、ダイオードなどの絶縁性能、およびその性能に関連するモジュールパッケージおよび構造上の特徴におけるそれらの組み合わせを対象としています。 1.4 これらの要件は、製品のコンポーネントとして使用される絶縁型半導体に適用されます。絶縁された半導体がこれらの要件に準拠しているかどうかは、さらに調査することなく、その半導体が最終製品のコンポーネントとして使用できるかどうかを決定するものではありません。特定の製品における半導体の受け入れ可能性は、実際の使用条件下での継続使用に対するその半導体の受け入れ可能性によって決まります。

UL 1557-2006 発売履歴

2022 UL 1557-2022 半導体デバイスの安全な電気的絶縁に関するUL規格
2018 UL 1557 BULLETIN-2018 半導体デバイスの安全な電気的絶縁に関するUL規格（コメント締切：2018年3月12日）
2018 UL 1557-2018 半導体デバイスの安全な電気的絶縁に関するUL規格（第6版）
2017 UL 1557 CRD-2017 半導体デバイスの安全な電気的絶縁に関する UL 規格セクション/段落参照: 14 トピック: 生産ラインの耐電圧試験 – DC 試験の追加 (第 5 版: 2011 年 12 月 29 日)
2014 UL 1557 BULLETIN-2014 安全なガルバニック絶縁半導体デバイスに関する UL 規格 (コメント締切: 2014 年 10 月 13 日)
2012 UL 1557 BULLETIN-2012 安全なガルバニック絶縁半導体デバイスに関する UL 規格 (コメント締切: 2012 年 7 月 22 日)
2011 UL 1557 BULLETIN-2011 安全なガルバニック絶縁半導体デバイスに関する UL 規格 (コメント締切: 2011 年 12 月 19 日)
2011 UL 1557-2011 半導体デバイスの電気絶縁
2009 UL 1557 BULLETIN-2009 半導体デバイスの安全な電気的絶縁に関するUL規格 (コメント締切: 2009年7月13日)
2006 UL 1557 BULLETINS-2006 半導体デバイスの安全な電気的絶縁に関する UL 規格 (04/11/2006 (4p); 01/26/2006 (4p))
2006 UL 1557-2006 半導体デバイスの電気絶縁
1997 UL 1557-1997 半導体デバイスの電気絶縁
1993 UL 1557-1993 半導体デバイスの電気絶縁