IEC 60749/AMD1:2000 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法の修正 1 は IEC 60749-6:2002 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 6: 高温での保管。 に変更されます。
IEC 60749/AMD1:2000 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法の修正 1 は IEC 60749-9:2002 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 9: マーキングの永続性 に変更されます。
IEC 60749/AMD1:2000 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法の修正 1 は IEC 60749-11:2002 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 第 11 部 急激な温度変化 二液電気めっき浴法 に変更されます。
IEC 60749/AMD1:2000 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法の修正 1 は IEC 60749-13:2002 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 13: 塩分環境 に変更されます。
IEC 60749/AMD1:2000 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法の修正 1 は IEC 60749-12:2002 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 12: 振動、可変周波数 に変更されます。
IEC 60749/AMD1:2000 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法の修正 1 は IEC 60749-1:2002 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 1: 一般 に変更されます。
IEC 60749/AMD1:2000 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法の修正 1 は IEC 60749-8:2002 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 8: シーリング に変更されます。
IEC 60749/AMD1:2000 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法の修正 1 は IEC 60749-31:2002 半導体デバイス 機械的および気候試験方法 パート 31: プラスチック密閉デバイスの可燃性 (内部誘導) に変更されます。
IEC 60749/AMD1:2000 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法の修正 1 は IEC 60749-32:2002 半導体デバイス 機械的および気候試験方法 パート 32: プラスチック密閉デバイスの可燃性 (外部誘導) に変更されます。
IEC 60749/AMD1:2000 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法の修正 1 は IEC 60749-22:2002 半導体デバイス、機械的および気候的試験方法、パート 22: 接合強度 に変更されます。
IEC 60749/AMD1:2000 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法の修正 1 は IEC 60749-7:2002 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 7: その他の残留ガスの分析および内部水分含有量の測定。 に変更されます。
IEC 60749/AMD1:2000 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法の修正 1 は IEC 60749-10:2002 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 10: 機械的振動 に変更されます。
IEC 60749/AMD1:2000 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法の修正 1 は IEC 60749-4:2002 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 4: 湿熱、定常状態、高度に加速されたストレス試験 に変更されます。
IEC 60749/AMD1:2000 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法の修正 1 は IEC 60749-20:2002 半導体デバイス. 機械的および気候的試験方法. パート 20: SMD の湿気とはんだ付け熱の複合効果に対するプラスチック製ブラダーの耐性 に変更されます。
IEC 60749/AMD1:2000 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法の修正 1 は IEC 60749:2002 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 に変更されます。
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