JIS H 0609:1999
好ましいエッチング技術を使用したシリコン内の結晶欠陥の検出試験方法

規格番号

JIS H 0609:1999

制定年

1999

出版団体

Japanese Industrial Standards Committee (JISC)

最新版

JIS H 0609:1999

交換する

JIS H 0609:1994

範囲

この規格は,シリコンウエーハの結品欠陥を六価クロムを含まない選択エッチング液によって検出し側定する方法について規定する。対象は，単結晶ウェーハ，ェピタキシャルウェーハ及びこれらの熱酸化ウエーハで，これらの結晶面方位は，{100}面，{lll}面及び{5ll}面の3種類とする。

JIS H 0609:1999 発売履歴

• 1999 JIS H 0609:1999 好ましいエッチング技術を使用したシリコン内の結晶欠陥の検出試験方法
• 1994 JIS H 0609:1994 好ましいエッチングプロセスにおけるシリコン結晶の損傷の試験方法