JIS H 0602:1995
四探針法を用いたシリコン結晶およびシリコンウェーハの抵抗率の試験方法

規格番号

JIS H 0602:1995

制定年

1995

出版団体

Japanese Industrial Standards Committee (JISC)

最新版

JIS H 0602:1995

範囲

この規格は，シリコン単結晶（以下,単結晶という。）及びシリコンウェーハ(以下，ウェーハという。)の直流4探針法による抵抗率の側定方法について規定する。測定可能な抵抗率範囲は，P形は0.001～2000 Ω·cm, N形は0.001-6000Ω·cmとする。

JIS H 0602:1995 発売履歴

• 1995 JIS H 0602:1995 四探針法を用いたシリコン結晶およびシリコンウェーハの抵抗率の試験方法