GB/T 6617-1995
拡張抵抗プローブ法によるシリコンウェーハの抵抗率測定 (英語版)
- 規格番号
- GB/T 6617-1995
- 言語
- 中国語版, 英語で利用可能
- 制定年
- 1995
- 出版団体
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- 状態
- 2010-06
- に置き換えられる
- GB/T 6617-2009
- 最新版
- GB/T 6617-2009
- 範囲
- この規格は、拡散抵抗プローブを使用してシリコンウェーハの抵抗率を測定する方法を指定します。 この規格は、結晶方位と導電型が既知のシリコンウェーハの抵抗率の測定や、基板と同じ型または反対型のシリコンエピタキシャル層の抵抗率の測定に適しています。 測定範囲：10-3～102Ω・cm。
GB/T 6617-1995 発売履歴
- 2009 GB/T 6617-2009 拡張抵抗プローブ法によるシリコンウェーハの抵抗率測定
- 1995 GB/T 6617-1995 拡張抵抗プローブ法によるシリコンウェーハの抵抗率測定
