SJ/T 9014.8.2-2018
半導体デバイス ディスクリート デバイス パート 8-2: 超接合金属酸化膜半導体電界効果トランジスタの空白の詳細仕様 (英語版)

規格番号

SJ/T 9014.8.2-2018

言語

中国語版, 英語で利用可能

制定年

2018

出版団体

工业和信息化部

最新版

SJ/T 9014.8.2-2018

SJ/T 9014.8.2-2018 発売履歴

• 2018 SJ/T 9014.8.2-2018 半導体デバイス ディスクリート デバイス パート 8-2: 超接合金属酸化膜半導体電界効果トランジスタの空白の詳細仕様