GJB 33/6-1988
半導体ディスクリートデバイス GP、GT、GCT グレード 3CG2605 タイプ PNP シリコン低消費電力トランジスタの詳細仕様 (英語版)

規格番号

GJB 33/6-1988

言語

中国語版, 英語で利用可能

制定年

1988

出版団体

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department

状態

入れ替わる 2022-03

に置き換えられる

GJB 33/6A-2021

最新版

GJB 33/6A-2021

GJB 33/6-1988 発売履歴

• 2021 GJB 33/6A-2021 半導体ディスクリートデバイス 3CG2604、3CG2605 タイプ PNP シリコン低消費電力トランジスタの詳細仕様
• 1988 GJB 33/6-1988 半導体ディスクリートデバイス GP、GT、GCT グレード 3CG2605 タイプ PNP シリコン低消費電力トランジスタの詳細仕様