DIN 50433-3:1982
半導体プロセス材料の検討 その3：ラウエ後方散乱法による単結晶方位の決定

規格番号

DIN 50433-3:1982

制定年

1982

出版団体

German Institute for Standardization

状態

撤回

最新版

DIN 50433-3:1982

範囲

半導体技術用の材料の試験。 ラウエ後方散乱による単結晶の配向の決定半導体技術の材料試験。 pa法による単結晶の方位測定

DIN 50433-3:1982 発売履歴

• 1982 DIN 50433-3:1982 半導体プロセス材料の検討 その3：ラウエ後方散乱法による単結晶方位の決定