T/IAWBS 003-2017
炭化珪素エピタキシャル層のキャリア濃度の測定_水銀プローブ静電容量-電圧法 (英語版)

規格番号

T/IAWBS 003-2017

言語

中国語版, 英語で利用可能

制定年

2017

出版団体

Group Standards of the People's Republic of China

最新版

T/IAWBS 003-2017

範囲

この規格は、炭化ケイ素（4H-SiC）エピタキシャル層のキャリア濃度の測定方法、水銀プローブ静電容量電圧法を規定しています。 この規格は、単層の均質な炭化珪素エピタキシャル層のキャリア濃度の測定に適用され、測定された炭化珪素エピタキシャル層の厚さが、テストバイアス下での空乏層の幅よりも大きい必要があります。 キャリア濃度測定範囲は1×1014cm-3～5×1017cm-3です。 この規格は、炭化ケイ素基板上のキャリア濃度の測定にも適用できます。

T/IAWBS 003-2017 発売履歴

• 2017 T/IAWBS 003-2017 炭化珪素エピタキシャル層のキャリア濃度の測定_水銀プローブ静電容量-電圧法