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- ASTM F1388-92(2000)
- 規格番号
- ASTM F1388-92(2000)
- 制定年
- 1970
- 出版団体
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- 最新版
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ASTM F1388-92(2000)
- 範囲
- 1.1 この試験方法は、シリコンウェーハの生成寿命と生成速度の測定を対象としています。
1.2 測定には、ガードリング MOS (金属酸化シリコン) コンデンサの製造が必要です。
したがって、このテスト方法はシリコンウェーハに対して破壊的です。
1.3 この試験はシリコン以外の半導体材料や二酸化シリコン以外の絶縁体にも適用できますが、その場合のコンデンサ製造の詳細とデータの分析と解釈はこの試験方法には記載されていません。
1.4 1013 ～ 10 17 cm-3 のドーピング範囲の p 型シリコンと n 型シリコンの両方をこの試験方法で評価できます。
測定できる世代寿命のおおよその範囲は 1 μs ～ 10 ms です。
1.5 このテスト方法は、バルク シリコンとエピタキシャル シリコンの両方に適用できます。
エピタキシャルシリコンを使用する場合、エピタキシャル層は基板と同じ導電型である必要があり、エピタキシャル界面の近接によって引き起こされる誤差を避けるために、深い空乏化における最大空乏幅の少なくとも2倍の厚さでなければなりません（12.4を参照）。
。
1.6 最大静電容量、平衡最小静電容量、およびドーピング密度の値を決定するために、この試験方法に記載されている測定を実行する前に、試験方法 F 1153 に記載されている測定を完了する必要があります。
1.7 機器の制御とデータの記録が可能なデジタル コンピュータが必要であり、これによりデータの取得と分析のプロセスが大幅に簡素化され、精度が向上します。
1.8 この規格は、その使用に関連する安全上の問題がある場合、そのすべてに対処することを目的とするものではありません。
適切な安全衛生慣行を確立し、使用前に規制上の制限の適用可能性を判断することは、この規格のユーザーの責任です。
具体的な危険性に関する記述は 11.5 および 11.8 に記載されています。
ASTM F1388-92(2000) 規範的参照
ASTM F1388-92(2000) 発売履歴
