ASTM F618-79e1 規格と仕様

範囲: 1.1 この方法は、非常に低い掃引速度または DC 条件下での MOSFET (注 I を参照) の飽和しきい値電圧の測定を対象としています。 II は、ドレイン電圧 Vo が約 10 V であることが一般的な MOSFET 動作の飽和領域に適用できる DC コンダクタンス法です。線形閾値電圧の測定については、方法 F 617 を参照してください。注 1 -MOS は金属酸化物半導体半導体の頭字語です。 FETとは電界効果トランジスタの略称です。注 2 - MOSFET が一部のゲート電圧値ではキンク領域にあるが、他のゲート電圧値ではキンク領域にないようなドレイン電圧で測定すると、飽和時の MOSFET で得られた値とは異なるしきい値電圧が得られます。 1.2 この方法は、エンハンスメントモードとデプレッションモードの両方の MOSFET、およびシリコンオンサファイア (SOS) とバルクシリコン MOSFET の両方に適用できます。この方法では、正の電圧と電流を指定しており、この規則は特にトンチャネル MOSFET に適用されます。負の電圧と負の電流を置き換えることにより、この方法はトップチャネル MOSFET に直接適用できるようになります。

ASTM F618-79e1 発売履歴