IEC 62047-25:2016
半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第25回 シリコンベースメモリ製造技術 - 微小接合部の引張・圧縮・せん断強度測定法

規格番号
IEC 62047-25:2016
制定年
2016
出版団体
International Electrotechnical Commission (IEC)
最新版
IEC 62047-25:2016
範囲
IEC 62047 のこの部分では、シリコンベースの微小電気機械システム (MEMS) で使用される微細加工技術によって製造された微小接合領域の接合強度を測定するための現場試験方法を規定しています。 この文書は、マイクロエレクトロニクス技術プロセスやその他のマイクロマシニング技術によって作製された微細接合領域のその場プルプレスおよびせん断強度測定に適用できます。 マイクロボンディングエリア @ を介して基板に固定されたマイクロアンカー @ は、MEMS デバイス内の可動センシング/作動機能コンポーネントの機械的サポートを提供します。 デバイスのスケーリング@ に伴い、欠陥@ 汚染や接合表面の熱不整合応力@ によって引き起こされる接合強度の低下@ がさらに深刻になります。 この規格は、パターン化された技術に基づいたプルプレスおよびせん断強度の現場試験方法を指定します。 この文書では、複雑な機器 (走査型プローブ顕微鏡やナノインデンターなど) や特別に試験片を準備する必要はありません。 この規格のテスト構造は標準検出パターン @ としてデバイス製造に組み込むことができるため、この文書は製造ファウンドリが設計者に定量的な基準を与えることができる橋渡し @ を提供できます。

IEC 62047-25:2016 発売履歴

  • 2016 IEC 62047-25:2016 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第25回 シリコンベースメモリ製造技術 - 微小接合部の引張・圧縮・せん断強度測定法
半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第25回 シリコンベースメモリ製造技術 - 微小接合部の引張・圧縮・せん断強度測定法



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