SJ 2757-1987
高濃度ドープ半導体のキャリア濃度の赤外線反射試験方法 (英語版)
- 規格番号
- SJ 2757-1987
- 言語
- 中国語版, 英語で利用可能
- 制定年
- 1987
- 出版団体
- Professional Standard - Electron
- 最新版
- SJ 2757-1987
- 範囲
- この規格は、エピタキシャル層、埋め込み層、拡散層のキャリア濃度の測定だけでなく、高濃度にドープされた半導体バルク材料のキャリア濃度の測定にも適用できます。
SJ 2757-1987 発売履歴
- 1987 SJ 2757-1987 高濃度ドープ半導体のキャリア濃度の赤外線反射試験方法
